真空（kōng）鍍膜的種類（lèi）

 在真空中製備（bèi）膜層，包括鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽（qì）相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空（kōng）鍍膜是指用（yòng）物理（lǐ）的（de）方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

蒸發鍍膜 通過加熱蒸（zhēng）發（fā）某種物質使其沉積（jī）在（zài）固體表麵，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年提（tí）出，現（xiàn）代已成為常用（yòng）鍍膜技術之一。

蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍（dù）工件，如（rú）金屬、陶瓷、塑料等基（jī）片置於坩堝前方。待係統抽至（zhì）高真（zhēn）空後，加熱坩堝使其中的物質（zhì）蒸發。蒸發物質的原（yuán）子或分子以冷凝（níng）方（fāng）式沉積在基片表麵。薄膜厚度可（kě）由數百埃至數微米。膜厚決定（dìng）於蒸發源的蒸（zhēng）發速率（lǜ）和時間（或決（jué）定（dìng）於裝料量），並與源和基片的距離（lí）有關。對於大麵積鍍膜，常采用旋轉（zhuǎn）基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻（yún）性。從蒸發源到基片的距離（lí）應小於蒸氣分子在殘餘氣體（tǐ）中（zhōng）的平均（jun1）自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分（fèn）子平均動能（néng）約為0.1～0.2電子伏。

蒸發源有三（sān）種類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲（sī）狀,通以電流,加（jiā）熱在它（tā）上方的或置於坩堝中的蒸發物質,電阻加熱源主要（yào）用於蒸發Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應加（jiā）熱源：用高頻感應電流加熱（rè）坩堝和蒸發物質。③電（diàn）子束加（jiā）熱源：適用於蒸（zhēng）發溫度（dù）較高（不低於2000[618-1]）的材料，即用（yòng）電子束（shù）轟擊材（cái）料使其蒸發。

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